---
title: "วิเคราะห์อาการเสียของคอนเวอร์เตอร์และแหล่งจ่ายไฟสวิตชิ่ง: อาการ สาเหตุ วิธีตรวจ"
url: https://modsengineeringmath.com/learn/power-electronics/troubleshooting/
site: "Mod's Engineering Mathematics (อาจารย์มด)"
language: th
updated: 2026-10-13
---

> ตารางวิเคราะห์อาการเสียของบั๊ก บูสต์ บั๊ก-บูสต์ และ SMPS: ไม่มีเอาต์พุต hiccup แรงดันต่ำหรือสูงเกิน แกว่ง subharmonic เสียงหอน MOSFET ระเบิดหรือร้อน ไดโอดร้อน แกนอิ่มตัว ริปเปิลสูง ตัวเก็บประจุบวม ประสิทธิภาพตก EMI พร้อมวิธีตรวจและวิธีแก้

ฉบับ Markdown ของ https://modsengineeringmath.com/learn/power-electronics/troubleshooting/ สำหรับผู้ช่วย AI และเครื่องมือค้นหา สูตรเขียนเป็น LaTeX ($…$ และ $$…$$) แล็บโต้ตอบและรูปมีเฉพาะในหน้าเว็บ

# วิเคราะห์อาการเสียของคอนเวอร์เตอร์และแหล่งจ่ายไฟสวิตชิ่ง: อาการ สาเหตุ วิธีตรวจ

// บทที่ 15.21 · อิเล็กทรอนิกส์กำลัง · Troubleshooting


วิธีคิดแบบเป็นระบบ ตาราง 17 อาการ เช่น ไม่มีเอาต์พุต hiccup แกว่ง เสียงหอน MOSFET ระเบิด แกนอิ่มตัว ริปเปิลสูง EMI และวิธีฝึกด้วยซิมูเลเตอร์

สรุปใน 30 วินาที

- สังเกตก่อนแตะ แยกส่วน วัดเทียบค่าที่คาด หาสาเหตุราก

- MOSFET ไหม้มักเป็นผล ไม่ใช่เหตุ

- แกว่งที่ $f_s/2$ = subharmonic → เพิ่ม slope comp

- iL หางยกขึ้น = แกนอิ่มตัว

## วิธีคิดแบบเป็นระบบ

- สังเกตก่อนแตะ — อาการ เสียง กลิ่น รอยไหม้ เกิดเมื่อไร (เปิดเครื่อง/โหลดเปลี่ยน/ร้อน)

- แยกส่วน: ไฟเลี้ยงคอนโทรลเลอร์ → สัญญาณเกต → ภาคกำลัง → ลูปป้อนกลับ

- วัดเทียบค่าที่คาด (คำนวณจากสูตรในแต่ละบท) — ความต่างคือเบาะแส

- หาสาเหตุราก ไม่ใช่แค่เปลี่ยนชิ้นที่ไหม้ (MOSFET ไหม้มักเป็น ผล ไม่ใช่ เหตุ)

## ตารางอาการ → สาเหตุ → วิธีตรวจ

|
อาการ |
สาเหตุที่เป็นไปได้ |
ตรวจ/แก้ |

|
ไม่มีเอาต์พุตเลย |
ไม่มีไฟเลี้ยง IC/UVLO, EN ไม่ถูกดึง, ฟิวส์ขาด, soft-start cap ลัด |
วัด VCC, EN, SS; ดูเกตมีพัลส์หรือไม่ |

|
สตาร์ทแล้วดับ วนซ้ำ (hiccup) |
OCP ทำงาน: โหลดลัด, C ขาออกใหญ่เกิน soft-start, L อิ่มตัว |
ลดโหลด, เพิ่มเวลา soft-start, ดู iL ช่วงสตาร์ท |

|
Vout ต่ำกว่าค่าตั้ง |
ตัวแบ่งผิด, ถึง Dmax (Vin ต่ำเกิน), จำกัดกระแส, ความต้านทานแฝงสูง (boost) |
ดู duty ว่าชน Dmax ไหม; เทียบสูตร $M$ ที่รวม $r_L$ |

|
Vout สูงเกิน/ไม่คุม |
สายป้อนกลับหลุด/ขาดตัวต้านทานล่าง, DCM ที่โหลดเบา (open loop), op-amp อิ่มตัว |
ตรวจ FB pin; ต้องมี OVP เสมอ (โดยเฉพาะ boost) |

|
แรงดันแกว่งความถี่ต่ำ (Hz–kHz) |
Phase margin ต่ำ, input filter โต้ตอบ (Middlebrook), สายแหล่งจ่ายยาว |
วัด Bode, step load ดู overshoot; หน่วง input filter |

|
Jitter/แกว่งที่ $f_s/2$ (คาบเว้นคาบ) |
Subharmonic ใน PCMC ที่ D > 0.5 |
เพิ่ม slope compensation ≥ 0.5 m2 (ลองในซิม) |

|
เสียงหอน/วี้ดได้ยิน |
ลูปแกว่งในช่วงเสียง, burst/skip mode ที่โหลดเบา, ขดลวด/เซรามิกสั่น (piezo) |
ดูว่าเปลี่ยนตามโหลดไหม; เคลือบวาร์นิชขด, ใช้ C ต่างชนิด |

|
MOSFET ระเบิดตอนเปิดเครื่อง |
Shoot-through (dead-time ไม่พอ), เกตลอย, แรงดัน spike เกินพิกัด, V_GS เกิน |
ตรวจ dead-time, ตัวต้านทาน pull-down เกต 10 kΩ, snubber, TVS |

|
MOSFET ร้อนผิดปกติ |
V_GS ต่ำ (Rds(on) สูง), สวิตช์ช้า (เกตไดรฟ์อ่อน), ringing, ทำงานเชิงเส้น |
วัด V_GS จริง, เวลา rise/fall; คำนวณ $P_{sw}$ |

|
ไดโอดร้อน/ไหม้ |
Reverse recovery สูง (ใช้ไดโอดธรรมดา), กระแสพีกเกิน |
ใช้ Schottky/ultrafast/SiC |

|
ตัวเหนี่ยวนำร้อน, iL เป็นรูปหางยกขึ้น |
แกนอิ่มตัว (กระแสเกิน, แกนผิดชนิด, ช่องอากาศหาย) |
ดู iL: ความชันเพิ่มใกล้พีก → เพิ่มรอบ/แกนใหญ่/gap |

|
Ripple ขาออกสูงเกินคำนวณ |
ESR ตัวเก็บประจุสูง (เสื่อม/ร้อน), วัดผิดวิธี (สายกราวด์ยาว), เซรามิกเสียค่าจาก DC bias |
วัดด้วย ground spring; ตรวจ ESR meter |

|
ตัวเก็บประจุบวม/รั่ว |
Ripple current เกิน, ร้อน, ใกล้แหล่งความร้อน, กลับขั้ว |
คำนวณ $I_{C,rms}$ (โดยเฉพาะ $C_{in}$ ของ buck) |

|
ประสิทธิภาพตก |
ไดโอด/MOSFET เสื่อม, DCM, fs สูงเกิน, ขดลวด skin effect |
แยกการสูญเสียด้วยการวัดอุณหภูมิทีละชิ้น |

|
ทำงานดีตอนเย็น เสียตอนร้อน |
ค่า L ลดลง (แกน powder/ferrite ใกล้ Curie), Rds(on) เพิ่ม, ESR อิเล็กโตรไลต์เปลี่ยน |
ทดสอบด้วย heat gun/chamber, derating |

|
รบกวนวิทยุ/เซนเซอร์อื่น (EMI) |
Hot loop ใหญ่, switch node กว้าง, ไม่มีฟิลเตอร์ขาเข้า |
ลด loop area, snubber, common-mode choke, spread spectrum |

|
MCU รีเซ็ตเมื่อมีโหลด |
Ground bounce, ไฟเลี้ยง MCU ตกขณะสวิตช์ |
แยก LDO/decoupling, star ground |

## ใช้ซิมูเลเตอร์ฝึกวิเคราะห์

ใน ห้องแลปจำลอง สร้าง "ความเสีย" แล้วดูผล:

- ลด L ลง 5 เท่า (จำลองแกนแตก) → ΔiL เพิ่ม, เข้า DCM

- เพิ่ม ESR (C) เป็น 0.5 Ω (ตัวเก็บประจุเสื่อม) → ripple ขาออกเป็นรูปเหลี่ยม

- เพิ่ม Rds(on) → ประสิทธิภาพตก

- PCMC slope = 0 กับ boost → subharmonic

- Boost + เปลี่ยนเป็นโหลด 1 kΩ แบบ open loop → แรงดันพุ่ง (เหตุผลที่ต้องมี OVP)

## คำถามที่พบบ่อย

MOSFET ในคอนเวอร์เตอร์ระเบิดตอนเปิดเครื่องเกิดจากอะไร?
สาเหตุที่พบบ่อยคือ shoot-through จาก dead-time ไม่พอ เกตลอยตอนไฟเลี้ยงยังไม่ขึ้น แรงดันกระชากเกินพิกัดเพราะ layout หรือไม่มี snubber และแรงดันเกตเกินพิกัด ควรใส่ตัวต้านทาน pull-down ที่เกต ตรวจ dead-time และวัดแรงดัน drain ด้วยโพรบที่ถูกวิธี

มด

อาจารย์มด · ธีรวุฒิ แสวงบุญ
อาจารย์สาขาวิชาวิศวกรรมไฟฟ้า มหาวิทยาลัยราชภัฏธนบุรี สมุทรปราการ · ดูโปรไฟล์

## คำถามที่พบบ่อย (FAQ)

**MOSFET ในคอนเวอร์เตอร์ระเบิดตอนเปิดเครื่องเกิดจากอะไร?**
สาเหตุที่พบบ่อยคือ shoot-through จาก dead-time ไม่พอ เกตลอยตอนไฟเลี้ยงยังไม่ขึ้น แรงดันกระชากเกินพิกัดเพราะ layout หรือไม่มี snubber และแรงดันเกตเกินพิกัด ควรใส่ตัวต้านทาน pull-down ที่เกต ตรวจ dead-time และวัดแรงดัน drain ด้วยโพรบที่ถูกวิธี